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发表于 2018-6-10 00:22:53
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产品技术参数
Attribute Value
通道类型 N
最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 20 V
最大漏源电阻值 5.2 mΩ
最大栅阈值电压 1.1V
最小栅阈值电压 0.5V
最大栅源电压 -12 V、+12 V
封装类型 DPAK (TO-252)
安装类型 表面贴装
晶体管配置 单
引脚数目 3
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 63 W
长度 6.73mm
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
宽度 6.22mm
晶体管材料 Si
典型接通延迟时间 9.7 ns
最低工作温度 -55 °C
典型栅极电荷@Vgs 48 nC @ 4.5 V
典型输入电容值@Vds 3770 pF@ 10 V
每片芯片元件数目 1
典型关断延迟时间 63 ns
系列 HEXFET
最高工作温度 +150 °C
高度 2.39mm
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