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楼主: bluethinkksj

锗管功率放大器末级最好用共基极电路

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 楼主| 发表于 2017-2-18 22:37:12 |
bluethinkksj 发表于 2017-2-18 22:14
首先看一下耐压。以3AD6C为例,共发射极耐压才30V,而共基极耐压有70V,前者在8欧负载上最多只能输出不到15 ...

按照OTL电路计算电压和输出功率的关系。
     
 楼主| 发表于 2017-2-18 22:40:08 |
本帖最后由 bluethinkksj 于 2017-2-18 22:53 编辑

对于输入变压器,线圈的圈数只和电压有关,而和电流无关。由于共发射极电路和共基极电路的驱动电压是一样的,二者的输入变压器次级圈数完全一样。而1A的输出电流也就只需要0.7mm直径的漆包线,所以很容易实现。采用5W的小型电源变压器铁芯,初级绕几十圈(以小功率OTL功放推动),次级只要绕不到10圈。这样的变压器很容易实现小的分布电容和漏感,能实现高保真的传输。
     
发表于 2017-2-19 09:57:16 |
bluethinkksj 发表于 2017-2-18 22:14
首先看一下耐压。以3AD6C为例,共发射极耐压才30V,而共基极耐压有70V,前者在8欧负载上最多只能输出不到15 ...

在导通的情况下应该比BVceo还低。即便接成共基极,只是电路上是共基极,管子耐压导通时还是按c-e间的电压算,零偏压、负偏压才是c-b。

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 楼主| 发表于 2017-2-20 21:28:54 |
往事已去 发表于 2017-2-19 09:57
在导通的情况下应该比BVceo还低。即便接成共基极,只是电路上是共基极,管子耐压导通时还是按c-e间的电压 ...

不知你在说什么。
     
发表于 2017-2-20 21:52:14 |

二次击穿1.jpg
二次击穿2.jpg
     
 楼主| 发表于 2017-2-20 22:51:54 |

这张图怎么看出来你是说的共基极耐压跟共射耐压一样?
     
发表于 2017-2-20 23:16:45 |
本帖最后由 往事已去 于 2017-2-20 23:23 编辑
bluethinkksj 发表于 2017-2-20 22:51
这张图怎么看出来你是说的共基极耐压跟共射耐压一样?


每条曲线对应不同的Ib,Ib=0时耐压为BVceo,Ib越大耐压越低,Ib <0即反偏时耐压大于BVceo,当Ie=0即发射极开路时耐压为BVcbo。
这个图才是真正的二次击穿曲线
二次击穿3.jpg
     
 楼主| 发表于 2017-2-21 00:24:38 |
往事已去 发表于 2017-2-20 23:16
每条曲线对应不同的Ib,Ib=0时耐压为BVceo,Ib越大耐压越低,Ib

还是不能说明共基极电路耐压和共射极耐压一样啊?
     
发表于 2017-2-21 01:01:54 |
算是涂鸦吧,不知道能不能说清楚 无标题.png
     
发表于 2017-2-21 09:11:40 |
bluethinkksj 发表于 2017-2-21 00:24
还是不能说明共基极电路耐压和共射极耐压一样啊?

你不要管在电路中的连接方式,只考虑三极管的导通状态,是导通、还是无偏置、还是反偏压、还是发射极开路就行了。
     
 楼主| 发表于 2017-2-23 22:05:16 |
往事已去 发表于 2017-2-21 09:11
你不要管在电路中的连接方式,只考虑三极管的导通状态,是导通、还是无偏置、还是反偏压、还是发射极开路 ...

共发射极电路和共基极电路的是有显著的不同点的。
对于共发射极电路,集电结的反向漏电流等效于基极电流,给发射结带来了小的正向偏置,从而增加了发射结三极管导通的倾向,所以耐压较低。
而共基极电路,上面的反向漏电流进入地了。不会影响发射结,所以耐压高。
对于反向漏电流更高的锗管,这个效应很大。所以我们看到手册里面共基极耐压比共射极耐压高很多的现象。
对于共发射极电路,如果下基极和发射极之间接一个较小的电阻,就能旁路集电结反向电流,从而提高三极管耐压。但是这样也会旁路输入信号。
     
发表于 2017-2-23 23:15:02 |
本帖最后由 大孔景元 于 2017-2-23 23:33 编辑
bluethinkksj 发表于 2017-2-23 22:05
共发射极电路和共基极电路的是有显著的不同点的。
对于共发射极电路,集电结的反向漏电流等效于基极电流 ...


1由于人为设置静态电流,集电极漏流造成导通影响耐压的可能性不存在,导通不等于击穿
末级共发射极电路时,输入变压器的次级就是那个提高耐压的小电阻



末级推挽电路中,导通的一侧管子集电极电压低于电源电压,而截至一侧的管子集电极电压是高于电源电压的,如果发生击穿现象,一定是截止的管子被击穿,但截至的管子基极是处于反偏状态的,基极发射极反偏或短路的管子集电极与发射极之间的耐压称为BVces,与BVcbo是近乎相同的,共基极提高耐压一说也就无从谈起

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发表于 2017-2-24 20:29:18 |
你脑子还是没转过来,你只看三极管自身就行了。
     
 楼主| 发表于 2017-2-25 00:32:52 |
本帖最后由 bluethinkksj 于 2017-2-25 00:34 编辑
大孔景元 发表于 2017-2-23 23:15
1由于人为设置静态电流,集电极漏流造成导通影响耐压的可能性不存在,导通不等于击穿
末级共发射极电 ...


1由于人为设置静态电流,集电极漏流造成导通影响耐压的可能性不存在,导通不等于击穿
末级共发射极电路时,输入变压器的次级就是那个提高耐压的小电阻

只有用分压偏置,并且下偏置电阻接近于零的时候三极管耐压BVceo才等于BVcbo。



末级推挽电路中,导通的一侧管子集电极电压低于电源电压,而截至一侧的管子集电极电压是高于电源电压的,如果发生击穿现象,一定是截止的管子被击穿,但截至的管子基极是处于反偏状态的,基极发射极反偏或短路的管子集电极与发射极之间的耐压称为BVces,与BVcbo是近乎相同的,共基极提高耐压一说也就无从谈起

对于变压器输出电路,这个结论是对的。但是对于OTL电路,存在输出中点电压严重漂移的情况。这时候一个管子的静态耐压可以几乎接近电源电压。在这种情况下。三极管就有击穿的危险,所以是不够安全的。三极管反偏耐压高的原理也来源于集电结反向漏电流被旁路。


另外我强调,共基极电路对提高频响的帮助是重要的。还有就是共基极电路的输入变压器制作很容易,所以并不增加电路难度。
     
 楼主| 发表于 2017-2-25 01:01:29 |
大孔景元 发表于 2017-2-23 23:15
1由于人为设置静态电流,集电极漏流造成导通影响耐压的可能性不存在,导通不等于击穿
末级共发射极电 ...

再仔细看看我贴出来的锗大功率管的耐压值,发现BVceo竟然还不到BVcbo的一半。
例如3AD30C,BVcbo为70伏,而BVceo仅有24伏。如果用共发射极电路,(不包含利用基极和发射极间接小电阻的对耐压的增强)即使考虑到乙类放大截止半周的反偏效应,只看静态,最高电源电压只能用24伏。而如果用共基极电路,电源电压可以到35伏,对应的输出功率增加了一倍。
更为重要的是,BVceo的实际值是和集电结反向漏电紧密相关的。对于老化的锗管,漏电流可能会大很多。这样实际的BVceo可能比手册的值更低。另外,漏电流也严重依赖管子的温度,当温度较高的时候,实际的BVceo也会降低。
这是锗管的独特特性。所以锗管扩音机容易烧管子,就是因为集电结反向漏电比硅管大很多,而且很容易受温度影响造成的。
我在本帖开始提到的共基极电路穿透电流稳定性的结论正是如此。
如果用共基极电路,以上问题就迎刃而解了。在晶体管很珍惜的时代,为了提高功率增益,用共发射极电路也许是有道理的,但是今天三极管如此便宜,我们不缺少增益的时代,从多种方面,共基极电路都有它不可替代的优势。

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