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在高频段, 场管的高输入阻坑已无用武之地, 但为什么这么多高级机还是用场管做高放...

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发表于 2017-1-24 09:34:01 | |阅读模式
longshort 在一个回复引起的思考

在较高频率下使用高输入阻抗,不太合适。

例如15MHz的频率,假如您的电路输入阻抗做到100K,那么在输入端点上的总电容不能超过0.106pF,否则频率响应急速下降。

一般高频晶体管的输入电容都超过至少2pF,这意味着上述电路最多只能工作到0.75MHz,而且增益会下降一半。但若输入阻抗设计在50欧,只要晶体管截止频率够得到,那就可以工作到1GHz以上。
“:

高输入阻抗会限制带宽,场管增益又不及晶体管,现在的晶体管嘈声也很低了。
     
发表于 2017-1-24 10:19:16 |
在高频段,有LC谐振回路这个利器。谐振常常可以化不利为有利。
谐振回路可以升压,与场管的输入特性相匹配,两者结合的结果就能超越常规的晶体管。
     
发表于 2017-1-24 10:47:53 |
本帖最后由 晓东电子 于 2017-1-24 10:52 编辑

2楼正解。场管栅极可以直接LC回路上,提高输入电压。普通三极管就需要降压,接在基极上。这样比较场管效率高。我的收音机改用场管,工作在18MHz效果很好。
 楼主| 发表于 2017-1-24 12:24:36 |
这么说场管的高输入阻抗不会影响带宽!!??
     
发表于 2017-1-24 13:03:38 |
用场管来做高放不是用它的高输入阻抗特性,而是用它的低噪声特性。

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发表于 2017-1-24 15:40:05 |



BJT 是电流器件, 贡献更多的电流噪音。

如果跨导和负载阻抗的积不能优于 FET架构 , 当然 FET 架构胜出。

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发表于 2017-1-24 16:14:42 |
请参考对讲机接收高放部分。
     
发表于 2017-1-24 16:30:11 |
通俗地说,高频电路是对功率进行放大,并不简单地表现为增益或噪声。
就中周的LC回路直接并联在栅极上的做法来说,FET的输入电容直接参与了LC回路的谐振,这使中周的插入损耗几乎可以忽略,使信号跨越了耦合方式的限制而直接调制FET的沟道,管子本身的噪声相比于高的信号电压,被压缩到非常低的程度,这是这种接法的中放信噪比较优之处。
FET的频率特性,不象BJT那样很早就开始下降,其跨导要到几乎接近截止频率时才迅速下降,这是优于BJT的地方。

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