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讨论下,线性电源调整管用NMOS管如何做

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发表于 2015-7-2 22:08:45 | |阅读模式
看了NMOS管的介绍,想用它的源极跟随器接法做线性调整管,当然相比三极管的好处是栅极不取电流,
想得头大,好像不好办呐?

上个简单电路图,大家看看问题所在??
NMOS431.JPG
     
 楼主| 发表于 2016-3-29 00:20:46 |
本帖最后由 南方静溪 于 2016-3-29 00:22 编辑

情况是复杂地,,
又换了变压器(AC14v,整流滤波后空载DC17v,个头大,粗线,2A输出没问题),
以前的电路,用不同MOS管试,(下面提到的负载时是指12V1.7A的灯泡做负载
m1.jpg
其中调整管G极用倍压所得电压偏置(负载时倍压输出都有22V,能充分保证G极偏压,可设成电阻限流或怛流源,保障G极偏压足够,保证431有1或2毫安工作电流),
负载时变压器整流滤波后的电压(即MOS管的D极)为正13.5V。
mos75a03.jpg
用P75NF75(网上订了几个,以为做调整管合适,NMOS,75V70A)试,空载12V,负载时电压跌落到10.5V,,
用70N03(电脑主板上拆的,30V70A),空载12V,负载11.6V,,

考虑到负载时,D极的电压只有13.5V,而S极12V输出,VDS只有1.5V,,似乎VDS大些时,输出电压线更平坦。

试把空载电压设成10V,,再挂上12V1.7A的灯泡看电压变化,
用P75NF75,空载10V,负载时9.6V,
用70N03,空载10.008V,负载10.008V。这个就比较好了。

看来除了保证G偏压足够时,,保证D、S的压差不要太小也要注意,,不然就出现输出电压空载时和负载时明显变化的问题!!

中间试的时候,看到空功和负载的电压跌落变化,一度以为TL431有问题,更换一次,,还是一样的!!




     
发表于 2015-7-2 22:25:53 |
对于N沟道的MOS管来说,栅极G需要比源极S更高的电位才能使其导通(一般功率MOS管都是增强型的),所以要么增加辅助电源,要么用倍压整流获得比较高的栅极控制电压。

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发表于 2015-7-2 22:34:52 |
1.如果输入输出电压是固定的18V和12V,这个电路没什么问题.
2.如果输入是变动的电压,需要考虑MOSFET完全导通时的条件,就是VGS的电压要能达到4~8V的驱动电压.假如输入的低谷为13V,而输出仍然要求12V,则VGS只有1V左右,这时MOSFET是不能完全导通的,输出应该只在7~8V左右,且随输出负载的变化而变化.
3.建议G极另外供电,且电压>18V,这样当输入变低到13V时,VGS仍然可以驱动MOSFET 接近完全导通,稳定了输出电压在12V左右.
4.RG电阻需要仔细考虑,太大了,驱动MOSFET功率不够,太小了会增加TL431的损耗.
5.MOSFET 的GS间建议加12V左右的稳压管,防止在开机时VGS过压损坏.

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发表于 2015-7-2 23:02:39 |
不懂,我来学习一下。
     
 楼主| 发表于 2015-7-2 23:19:14 |
qzlbwang 发表于 2015-7-2 22:25
对于N沟道的MOS管来说,栅极G需要比源极S更高的电位才能使其导通(一般功率MOS管都是增强型的),所以要么增 ...

似乎用倍压整流来提高G极的办法用的多。
现在就是想尽量简化的来试试这电路, MOS不像三极管那样有BE节电压好分析。
     
 楼主| 发表于 2015-7-2 23:26:32 |
农民 发表于 2015-7-2 22:34
1.如果输入输出电压是固定的18V和12V,这个电路没什么问题.
2.如果输入是变动的电压,需要考虑MOSFET完全导通 ...

  分析比较详细了,不错,
觉得MOS不像三极管那样有BE节电压好分析,有时会茫然呐!
待有空想以VGS的压差3V计,则DG间的偏置电阻取500欧,则偏置431电流为(18V-3V-12V)/500=6mA,看看是什么状况!
     
发表于 2015-7-3 08:27:26 |
MOS管的VGS与ID、VDS有关。3V时也许ID不够大。结果可能是,比较小的输出电流时输出电压正常,电流比较大时,电压跌落比较明显。
     
发表于 2015-7-3 08:36:32 |
就MOS 管与三极管的对应比较来说,有两点必须引起注意:
1、VGS比VBE大得多。
2、对于同样的ΔID(ΔIC)对应的ΔVGS要比ΔVBE大得多。
     
 楼主| 发表于 2015-7-3 18:47:06 |
qzlbwang 发表于 2015-7-3 08:36
就MOS 管与三极管的对应比较来说,有两点必须引起注意:
1、VGS比VBE大得多。
2、对于同样的ΔID(ΔIC)对 ...

不错的分析,学习了,
看资料好像说G极须高于S极不少呢,看来用倍压整流还是必要滴!
手里有几个2N60B(NMOS,600V2A),电脑电源上拆的,过久试试,
MOS栅极不取电流的优点还是吸引人的。
     
发表于 2015-7-9 05:41:14 |
用专用驱动IC
     
 楼主| 发表于 2015-10-17 14:39:04 |
本帖最后由 南方静溪 于 2015-10-17 14:48 编辑

用NMOS的2N60(600V2A),搭了看,空载12V输出,,测VGS3.4V,
,接100欧电阻时,输出电压从12V跌落到11.6V,,接50欧时跌落到11.1V(此时VGS是4.4V)。

看起来几十个mA小电流尚可,,大电流就不行了,,
还是用三极管做调整管更容易些了!
     
发表于 2015-10-18 03:52:50 |
本帖最后由 农民 于 2015-10-18 03:57 编辑
南方静溪 发表于 2015-10-17 14:39
用NMOS的2N60(600V2A),搭了看,空载12V输出,,测VGS3.4V,
,接100欧电阻时,输出电压从12V跌落到11.6V, ...


不能说大电流不行,早期电脑和服务器电源里面的3.3V ,几十安的电流都是用这种方式出来的.
后期才改了磁放大方式或者斩波降压的方式.

另外改电路还有个比三极管明显的优点,就是可以实现输入与输出的低压差。比如输入在12.1~12.2V时,输出还可以保持在12V左右.而三极管此时因为大的VCE饱和压降(0.3~1.0),导致输出只有11V了.
     
 楼主| 发表于 2015-10-18 18:08:10 |
本帖最后由 南方静溪 于 2015-10-18 18:20 编辑
农民 发表于 2015-10-18 03:52
不能说大电流不行,早期电脑和服务器电源里面的3.3V ,几十安的电流都是用这种方式出来的.
后期才改了磁 ...



昨天看了倍压整流资料,今天试了下(倍压电路电容是35V22UF,无极性),
情况让人费解 ,,按1楼电路图,在10伏时,测试输出400mA时,电压依然稳定,12V是不行的,跌落1V多,

按下图,做了倍压,空载有26伏,接2K电阻至栅极,在(空载)12V 时接25电阻负载,此时电流约500mA吧,输出电压依然跌落1V以上电压, 按说现在栅压足够,2至5mA的TL431电流也差不多,,输入电压(D极)也有16.5V左右,输出500mA电流,输出电压却只有11.2V,,
(实测空载12V,VGS3.5V,G极15.5V,,当输出500mA电流时,输出电压11V,G极16.2V,VGS5.2V,倍压整流输出端23V),
当调整到10V电压输出时,400mA电流输出,电压稳定!! (与栅极未接倍压是一样的)

更换一只TL431,没有变化。
输出端只接了220UF的电容,,难道是这个要加大。(输入端的电容量有5700UF)


变压器应当无问题(用自制的三极管加TL431,稳定输出12V2A)。AC输出13V,,整流滤波后17至18V(重负载时16V)。

NNN1.jpg
     
 楼主| 发表于 2015-10-18 20:10:34 |
补个电路图,
nnn2.JPG
     
发表于 2015-10-18 20:52:36 |
2N60跨导不够大,需选高跨导管,或增加一级电压放大。

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