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楼主: fangyinghh

关于老晶体管穿透电流太大的解决办法,自己琢磨出来的

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发表于 2015-6-1 10:36:42 |
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发表于 2015-6-2 22:41:34 |
这方法是正道。只要管子还有放大左右就能用。还省了一个上偏置电阻呢,下偏置电阻可以用大一点,以免降低输入阻抗。加发射极负反馈能稳定工作。
如果穿透电流有毫安级,做恒流二极管不错。
     
发表于 2015-6-3 09:35:21 |
    穿透电流太大的就不要使用了,如果想玩锗管,好的有的是,选好的玩就可以了。客观地说锗管有穿透电流大的,也有很多穿透电流小的,并非所有锗管都不好。

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发表于 2015-6-3 10:02:15 |
yngz 发表于 2015-6-1 09:42
穿透电流大的可以看成耗尽型管子,基极加上反向电压,可使导通的电流变小,这就成了结型场效应管,输入阻抗 ...

不赞同您的这种观点:因为晶体三极管内部设计结构不同,工作方式也不一样,输入阻抗及相关参数也明显不同,穿透电流大的三极管不能等效为结型场效应管。
     
发表于 2015-6-3 10:13:08 |
高频管就不要说了,直接垃圾桶,低频管一般是RX100档,指针在中间左方的都能用,在右方的也不敢恭维,由左慢慢变右的也扔掉。
     
发表于 2015-6-3 10:14:30 |
支持的,请上几个实用的电路。
     
发表于 2015-6-3 13:19:59 |
建议上示波器看一下波形。
发表于 2015-6-3 14:57:27 |
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发表于 2015-6-14 09:44:16 |
用晶体管特性图示仪测过穿透电流以下的曲线,也就是像测量场效应管那样,人为地加正向的基极阶梯电流(对PNP而言),可以看见有一定的放大能力,但是曲线的间距跟正常的很不相称,电流放大系数也很小。这在某些特殊场合是可以变通使用的,比如低电压的情况下,只要挑选具有一定的穿透电流的管子,零偏置就可以了。但是穿透电流随着通电时间变大的不能用。
     
发表于 2015-6-14 14:15:12 |
在双极性晶体管的偏置技术中,为避免温度变化对Icbo产生影响而使晶体管的工作点发生变化,常常需要将Icbo通过某种方式旁路掉,这种方式最简单的就是增加一个下偏置电阻器。

晶体管的Icbo在没有下偏置电阻时的通过路径就是基-射极,从而产生了Ib,在hfe的作用下,便产生了Ico,其值为Ib*hfe+Iceo。这个电流是不稳定的,晶体管的工作电流越小,它的影响越大,因此将Icbo通过下偏置电阻提供的电流路径泄放掉,是提高晶体管小电流工作稳定性的重要途径之一。

在大电流工作的晶体管,例如扩音机等,往往将功放管的基极通过输入变压器次级直接接地,输入信号中的本底噪声就可将管子导通同时产生约零点几伏的反向偏置电压(也称自偏置电压),这使大功率晶体管在工作时更为稳定。
     
发表于 2015-6-14 19:17:23 |
飞机迷 发表于 2015-5-31 01:06
那和闲着扯淡有啥区别,

同意你的观点。
     
发表于 2015-7-9 17:04:17 |
也有穿透电流小的锗管,尤其是80年代后期,90年代初期国产的锗管,其穿透电流比手册里规定的低很多,甚至低几倍。
     
发表于 2015-7-9 17:21:36 |
反偏,需要增加一组反向电源。而一般成品机子没有这个电源。不容易处理。

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