这个恒流源电流在漂移，怎么回事？

SBWILLY

焊了块恒流源，用于激光二极管驱动（要求精度较高，因为我想用以驱动激光二极管试验拍全息照片）
发现用MOS管IFP540驱动时，用三位半的VC9万用表量采样电阻 R2的两端电压，每过二十来秒，就会缓慢的变大约0.1MV,折算下来电流会变大0.02MA,
但是我改用三极管驱动,就一直较稳定。我用手上的几个MOS管试了试，都会出现这个现像
大神帮忙分析下

电源开关

没使用精度器件做到这样也可以了，万用表本身也差了些，如果一定找原因电路可能存在自激，那个10uf电容设计有很大问题，电路不能盲目仿制

gaoxe

试P沟道FET?

SBWILLY

去掉那个10UF,还是会漂移

SBWILLY

gaoxe 发表于 2014-11-11 17:36
试P沟道FET?

打错了,其实是IRF540 N沟的

电源开关

看来没理解明白，358要增加积分电容，那个10uf严重降低电路带宽和稳定性，看此电容意图是软起作用，但是当电压源快速波动电路将不具备恒流效果，特别是采用场管，当ld处出现断路，10uf会充电压很高，造成场管完全导通，ld再次接通可能会烧毁ld，你采用三极管测试r2电压时不准确的，里面包含基极的驱动电流，一些因素造成驱动电流变化会影响到ld的电流变化，理论上是不如采用场管精度高的，有些东西表达不到位自己领会吧

SBWILLY

电源开关 发表于 2014-11-11 18:21
看来没理解明白，358要增加积分电容，那个10uf严重降低电路带宽和稳定性，看此电容意图是软起作用，但是当电 ...

谢谢大神指导，可否再指示下，如果是用MOS管，这个电路需要修正哪些地方较为合适。。。电路我确实基础太差。我的供电是用8-12V的电池作为供电的，以前我是直接串一个可调电阻箱限流(不知道是不是因为电阻箱内绕线电阻有电感原因，LD的寿命都不长)，但是很不方便。现在用这个板子供电，感觉LD很耐用了。采样电阻我用的是洋垃圾VISHAY塑封电阻，基准用的是MAX6xxx(暂记不住型号了，标示温漂在5-10PPM)

电源开关

lm358更换为双电源运放op07,20k，5k电位器要高精度，输出端与反向端并联22p-104电容，具体选择实验决定，根据pcb分布电容及电流大小，在不自激前提容量越小越好，还有电路图里电源缺少退藕电容，47k处可以并联1uf电容起到软起作用，r2取值及功耗也影响稳定度
这是我做的类似板子

绝对整烂

场管的栅极不是得接电阻到地？

locky_z

0.1mV太敏感了吧？你需要用很高精度的元件才行呀

LM358的失调电压的温度系数7-20uV/C,
如果可调电阻的温度系数200ppm，出来的电压变化也有50uV/C了。

gaoxe

试用P沟道FET?

SBWILLY

gaoxe 发表于 2014-11-13 12:20
试用P沟道FET?

读不懂你的话，
你是问我用的是不是P沟呢？
还是叫我尝试用P沟呢？

春湾扬洲电脑

把10UF电容去掉，换上一个电阻下拉G极电压，这样反应速度会快很多，应该会有改善，另外，这0.1mV是不是+输入端造成的？

hhq

电阻温飘？
或者MOSFET是压控元件，而三极管是电流控制的？

tangwenguang520

由三极管或者MOS管的特性所决定！