LZ这种架构,需要双电源,供电效率低了1倍,例如正负双20V供电,但被测管Vce两端最大电压只有20V
我10年前的图示仪的机构是这样,单电源供电,但E极非接地,是接到一个可输出可倒灌的推勉电源上.B和C都是接到两个推勉电源上,B通道还可以是恒流输出.
这样单电源40V供电,扣除推勉电源输出压降,被测管两端Vce电压可以达到36V.
结构图如下图
测N管,设置E通道电源为2.5V,B,C通道电源输出大于2.5V,就能满足N管测量
测P管,设置E通道电源为36V,B,C通道电源输出小于36V,就能满足P管测量
测N-JFET管,设置E(也就是接源极)为10V,设置B(也就是G)小于10V,那么被测管的Vgs就是负的,设置C(也就是漏极D),大于10V,那么就满足Vds>0V
同样P-JFET也一样
甚至可以测3端稳压.
整个电路图如下图
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