一款中波高频头试验板
本帖最后由 jf0805 于 2025-4-23 17:24 编辑本实验板基于冰岛老师"关于三极管双平衡混频器的话题"一贴的讨论而来的三极管双平衡混频器实用电路而构思的中波收音头。高放，本振都是实做过的成熟电路，成功率非常高。中频输出到DSP收音机（调谐与455kHz）。原理图，洞洞板布线图刚刚完成。目前还是纸上谈兵阶段，后面将进行实做。制作的难点是电路中的几只线圈。本振采用了本坛求知版主推荐过的电路。我把它变成了PNP版。这个本振电路性能相当不错，可以直接驱动二极管环混（二极管双平衡混频器）。 几个线圈的制作(绕制):
B2，B3，采用13.5x7.5x10x4双孔镍锌磁环，用0.3mm漆包线三线绞合后穿绕6匝。
本振线圈B1的制作:用10x10中周骨架，0.08mm漆包线绕制，先绕④-⑥，头为⑥脚，顺时针绕8匝，抽头为④脚，继续绕3匝，抽头为③脚，再绕8匝，抽头为②脚，最后顺时针绕76匝，尾为①脚。可以多绕十匝左右以便频率有偏差时调整，这时只需从①脚开始拆去一些匝数即可，整个线圈不必重绕。绕好后线圈封腊处理。 本帖最后由 jf0805 于 2025-4-23 19:10 编辑
天线输入调谐线圈B的制作:先绕输入绕组，用0.08线绕6匝，再绕谐振绕组用0.08线绕120匝。
中周B4的制作:先绕④-⑥，用0.08线绕30匝，再绕①-③，用0.08线绕30匝，抽头为②，绕续绕30匝，浸腊密封。配用1000P云母电容。这里用大谐振电容是为了降低中周的制作难度，选择性是后面中放的活儿。这几只线圈制作好基本上就没有难点了。 这个收音试验板，采用了功能模块设计，每个功能模块自成一体，混频电路的信号和本振注入端均加了串联电阻以方便调整阻值来调整注入信号幅度，可以用不同阻值电阻，也可用短接线短接。试验电路采用本振基极注入，信号e极注入方式。这是因为当年试验单平衡电路时采用过。性能还不错。而两者对调，便不出声，推测可能是e报注入需要较高的本振电平，由于当时比较忙，未能深入探究。这次准备对调试试，看结果如何。 如果不是为了做成独立的模块，那么我认为高放部分可以做得简单一些。信号注入混频发射极，B3又是1:2升压，那么，B3初级输入阻抗是很低的。高放使用共源-共基级联放大，共基极放大级的电流放大倍数略小于1，它的作用仅仅是为了降低共源放大器的漏极负载阻抗，而且，T2集电极与B3采用阻容耦合，由于集电极电阻对信号分流，该级实际电流放大倍数还要更低。去掉共基极放大T2，宽带变压器B3初级直接串联到共源放大T1集电极，这样并不会降低高放增益，电路结构却可以大大简化。去掉T2之后，T1漏极经过1:2变压器耦合到混频管T4、T5，仍然是共源-共基级联，T1漏极负载阻抗仍然很低，稳定性应该不成问题。高放增益调整，可以在源极电容位置串联可调电阻实现。
中频频率选得多高，振荡垫整电容是否合适？如果中频选择460k左右，那么垫整电容的容量，应该固定取可变电容的1.1倍，中频频率越低，垫整电容越大，电容量差太多了统调跟踪不良。
高放管T1输入端的阻容电路，是否应该去掉？240k电阻并联在信号选频回路两端，会降低品质因数，去掉240k电阻和1nF电容，T1门极直接接到选频回路，利用变压器B线圈提供直流偏置，T1的直流工作点是正常的。 冰岛 发表于 2025-4-23 20:38
如果不是为了做成独立的模块，那么我认为高放部分可以做得简单一些。信号注入混频发射极，B3又是1:2升压， ...
高放使用了共源共基组态主要目的是阻抗变换，有一个较低的放大能力即可，并不为追求高增益，三极管混频的增益高，高放增益高，强台将出现阻塞现象，那就得上AGC，电路将复杂化。这个高放电路相当稳定，不易自激。我曾用它做过中波段调谐高放，第一级用它，第二级还是这个电路(第二级不调谐)，第二级直接驱动二极管环混，效果很好。二级高放都不用屏蔽也没有自激。按老师的意见进行简化也是可以的，从D极直接驱动或从S极驱动都是可以的，共基这部分装不装待试验调试时定，画图时先画上，可以简化掉。(相当于预留了安装位置)。振荡的垫整电容取可变容量的1.1倍，这个建议记下了，拟用2X390的双联，那么1.1倍就是429p，本振线圈的参数要调整一下，以前没怎么在意这一问题，最多就是频率刻度不理想时再并上一只几十p到一百多p的电容。高放管的T1输入端电阻和电容是可以去掉的，确实会降低谐振回路的品质因数。拟制作输入线圈时预留一抽头(大致在一半位置)这样可以试一下①目前画图接法，②老师建议的接法(直通)③1/2抽头接法。感谢冰岛老师的指导。 看求知版主的原图垫整电容的确是符合可变容量1.1倍的，配330可变，330x1.1=363，图标362。学习了。再次感谢老师们。 T3为何改PNP？想不通其中缘由 正电源接地与负电源接地之分。8楼那个NPN管的谐振回路是经过了0.047电容构成了谐振回路，当这个电容选用不当(比如用了温度系数高的瓷片电容)时，可能影响谐振回路。用PNP管就无此担忧了。NPN管的这只电容排版时要尽可能靠近谐振回路，布局不当也会有不良影响。而且这个电容取值偏小了，应该到0.1μ。 不错。期待成果 由于手头已无10x10骨架，拆了一只TF102P改制B1，天线谐振线圈暂用SZP2代用，B4用TF104C代用(数据为3x50匝，配用470P电容)，这样就可以开工了。待10ⅹ10骨架购回再替换掉。 先焊本振部分，通电波型出现，频率有些低，先不管，Re=470Ω，Ⅰ=3.67mA，有些高，将Re改为1K2，I=1.86mA。 本帖最后由 jf0805 于 2025-4-25 08:40 编辑
本振电路焊接调试完成。本振线圈①-②拆去了11匝。最终确定为71匝，其余不变。Re改成了680Ω。垫整电容用了两只标称容量220P的云母电容，实测容量426P。频率范围975~2070KHz，中频455时，对应接收范围520~1615KHz。 MT4S301 发表于 2025-4-23 23:14
T3为何改PNP？想不通其中缘由
可能大概差不多是为了方便本振线圈接地。
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