MT4S301 发表于 2025-3-10 22:22:09

<求助>驱动Pmos+Nmos半桥用什么IC

如题,不太想用非同步开关或2只Nmos开关。
有没有最低3.3V能工作的,传播延迟20ns以下的,适用于P+N管的栅极驱动IC

locky_z 发表于 2025-3-11 08:25:55

光耦-光电池现在好像也不贵,
VOM1271两只,2V工作,可以驱动8V夹断电压的MOS管,还隔离.

locky_z 发表于 2025-3-12 09:43:46

locky_z 发表于 2025-3-11 08:25
光耦-光电池现在好像也不贵,
VOM1271两只,2V工作,可以驱动8V夹断电压的MOS管,还隔离.

再看了一下VOM1271的pdf,说是fast,但只是相对于继电器来说,
上下沿过渡时间居然50uS,这个速度连光耦都不如了。

bht998 发表于 2025-3-14 23:01:26

本帖最后由 bht998 于 2025-3-14 23:02 编辑

半桥驱动芯片一般都是用来驱动NMOS的,因为大功率的都是NMOS,
PMOS的导通电阻比较大,做不了那么大的电流。

你可以用三极管构建一个驱动,或者上下管都用NMOS+驱动芯片,
同样电压电流的NMOS管比PMOS管便宜很多,没必要用PMOS管。

崂山 发表于 2025-3-16 18:20:50

真不如自己设计一个驱动电路,上下都是N管的。

记得有个音频功放电路,就是最终上下都是N管的,谁有贴出来。我们参照它的原理,看能不能设计出数字驱动的高效半桥来 。期待高人来给科普科普电路。

哈!

locky_z 发表于 2025-3-16 19:59:39

上下都驱动N管的很多,都是要靠自举提升电压,因此做不到100%的占空比。
要做到100%占空比,只能加多一个隔离电源。

如果是P+N型,
VISHAY文档描述过一个电路,但元件选型和供电电压相关,鲁棒性不好



MICROCHIP也有一个电路,是电容隔离,同样会有100%占空比下不能工作的问题

locky_z 发表于 2025-4-2 13:47:12

又找到一个5V逻辑电平,用电容耦合,驱动P/N 互补MOS的驱动方式
https://www.radiolocman.com/shem/schematics.html?di=666367

PMOS管的偏置加上一个等于1/2逻辑驱动电平的稳压二极管,可将 TPA2010 的 2.5 W 差分输出提升到超过 8 Ω、200 W 。
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