如图，自动切换锂电或DC供电电路R1、R2阻值该如何确定
电路如下图所示，功能即实现DC供电或锂电池供电自动切换功能，简单的说就是若电源供电正常，则DC供电输出，同时DC也给锂电池充电，当DC供电切断后，则由锂电池持续供电，到输出现有如下问题：
1、R1、R2阻值该如何确定？
2、图中的Pmos管能否用Nmos管替代，如今Nmos管才是主流趋势，电路板上随手即可获得
3、考虑到能耗问题，即二极管D1和Pmos管下方那里都存在一个二极管，电流若流过即产生压降，那么就存在压降损耗（虽然损耗很小几乎可以忽略），有没有更佳的方案存在？或者说有集成芯片能够完美解决，即实现了自动切换又能量没损耗
本帖最后由 小鬼头 于 2024-8-25 10:30 编辑
1、r1、r2的取值需要让Vg-Vs的值（绝对值）做到：有外接电源时低于Vth，无外接电源时要足够高（能令pmos饱和）。其中Vs等于外接电源电压减去d1压降，Vg等于外接电压经r1、r2分压器输出的电压。
2、不容易用nmos来换这里的pmos。
3、省这点能耗，大多数情况下没必要。
DC供电时，在d1上浪费了一点能耗，pmos管是关闭的且无电流流过。电池供电时，D1无电流流过，pmos管压降很小，其能耗可忽略。因此，能省的对象仅是DC供电时d1上的能耗。
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重新审视了一下电路图，发现这个电路里，pmos起不到切换作用，只是利用了他的寄生二极管。也就是，把pmos拆除，并用一只二极管代替，也能起到原来的所谓“切换”作用。 小鬼头 发表于 2024-8-25 10:10
1、r1、r2的取值需要让Vg-Vs的值（绝对值）做到：有外接电源时低于Vth，无外接电源时要足够高（能令pmos饱 ...
带入一个具体值，例如DC供电是12v直流电源。pMOS管是NTR1P02LT1G该管子的Vgs为12v，那么该如何计算呢？
本帖最后由 JuncoJet 于 2024-8-25 12:02 编辑
充电芯片好像没那么简单
和电池不是串联关系
看电池只表示了正极接法
没事了 icespirit 发表于 2024-8-25 10:44
带入一个具体值，例如DC供电是12v直流电源。pMOS管是NTR1P02LT1G该管子的Vgs为12v，那么该如何计算呢？ ...
是最大Vgs为12V，而不是Vgs是12V。这区别大了去了 icespirit 发表于 2024-8-25 10:44
带入一个具体值，例如DC供电是12v直流电源。pMOS管是NTR1P02LT1G该管子的Vgs为12v，那么该如何计算呢？ ...
你要找Vth值，即mos管导通开启的Vgs电压值。
我上一个回帖的补充部分因漏看了寄生二极管所产生的偏置作用，误认为pmos管没有切换作用。
1、单端由电池供电时
由图可看到，如果电池电压低，比如3.6v，那么就要使用开启电压低的pmos管。如果为9.6v，则几乎所有pmos都符合要求。
2、有外接DC电源供电时
图中的例子显示，R1、R2的取值其实是相当宽松的。
栅极接错了，修正后压降大幅减少
小鬼头 发表于 2024-8-25 10:10
1、r1、r2的取值需要让Vg-Vs的值（绝对值）做到：有外接电源时低于Vth，无外接电源时要足够高（能令pmos饱 ...
这里PMOS是起作用的，如果改成二极管，会有压降，使用PMOS的话，就几乎不会有压降
虽然看上去是PMOS的体二极管传递电流，但考虑两种情况：
1.PMOS栅极电位比源极掉的快，如果足够快，PMOS会先导通，体二极管没有足够的压降，所以电流会直接通过PMOS沟道而不是体二极管
2.PMOS栅极电位比源极掉的慢，如果足够慢，体二极管会先导通，然后PMOS源极电位会上升，随着PMOS栅极电位继续掉，PMOS会逐渐导通，体二极管逐渐失去压降，电流逐渐从体二极管转到PMOS沟道
不论以上哪种情况，最终开关压降取决于负载电流和PMOS沟道导通电阻的乘积，如果沟道导通电阻很小，压降非常小。所以这里用PMOS主要是为了降低开关上的损耗，而外部供电用二极管就可以了，因为电池的能量比外部电源精贵多了。
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