请教BF245A管子，Vgs大于0有可能吗
我用它搭建了电压跟随器电路，按照理论算Vgs应该小于0，但是我搭起来Vgs＝0.65v，后来我想是不是引脚搞错了，换了个方向直接没电流了，看来应该引脚没搞错，之后我又换上2sk241，测静态工作点它上面Vgs也是＞0，我十分疑惑耗尽型管子，Vgs也能＞0吗，为什么数据手册上还是书上都没有表现出来，还是说我买到的是假货？连接方式如图 本帖最后由 girlexplorer 于 2024-1-22 00:05 编辑场效应管远比三极管深奥。
场效应管的偏置，特别是R1、R2最佳阻值大小的计算，好像没有哪本书能说清的。
老衲的一贯观点：大多书都是抄来抄去，作者也是不懂的。
VDD对地需要有个瓷片或贴片电容来退耦啊 JFET内部的栅极PN结最大能输入+0.7V左右，只要不导通就行 大概率是三极管冒充， amduron 发表于 2024-1-22 01:15
大概率是三极管冒充，
确实有可能之前在tb上买几十个bf245，到手一测是纯BJT，β值300多 複雜化！加那麽多偏置幹嘛？只要一個源極自偏置電阻+一個大阻值的柵極對地電阻即可。
longshort 发表于 2024-1-22 07:12
複雜化！加那麽多偏置幹嘛？只要一個源極自偏置電阻+一個大阻值的柵極對地電阻即可。
一开始没想太多，就照书上的电路画的板子，虽然是个小电路还是立创打印了反正免费的 SPKBL 发表于 2024-1-22 04:34
确实有可能之前在tb上买几十个bf245，到手一测是纯BJT，β值300多
的确有可能，我测试中间放万用表二极管档位红表笔，另外的黑表笔放管子两边竟然都能导通，电压0.7v多点，真的有可能是npn三极管冒充的，当然也有可能是n沟道fet，但是引脚和数据手册不一样，数据手册中间是源极很有可能这个中间是栅极，因为栅极是P型半导体，DS是N型半导体，还需要重新实验。 如果不是假货，那是因为管子Idss太小（小于2mA）造成。
可以单独对管子的Idss进行测量。
1、比较规范一些的测量方法是，把g极与s极短接，用9V电池经电流表跨接在d极与s极之间，电流表的读数就是Idss。
2、最方便操作的方法是，把g极与s极短接，用3v指针表的欧姆档直接测s极、d极，Li读数就是Idss。
另外，你这电路不适合Idss太小的管子应用。要让Idss小的管子能正常工作，需要增大那只1.5k的s极电阻。
还有一种改进电路的办法，就是前面网友建议的改用自生偏置的方法。 bis 发表于 2024-1-21 21:45
Idss这个参数就是Vgs=0时的Id啊！有这个参数必然意味着Vgs可正可负，你仔细思考一下。
但是按照他Vgs如果＞0这个来，Id肯定大于Idss吧，但是我测量源极接地电阻电压一直都是不变的2v多点，无论多大电阻，说不清了哈哈 FET的VGS是正压，可能有BJT的特性，只要不超过0.6V。 本帖最后由 小鬼头 于 2024-1-22 08:50 编辑
milamns 发表于 2024-1-22 08:26
但是按照他Vgs如果＞0这个来，Id肯定大于Idss吧，但是我测量源极接地电阻电压一直都是不变的2v多点，无论 ...
Idss这个参数，表征的是这只管子工作时的Id最大极限。就像一个电路里的输出电压，不能超出电源电压这个最大极限。
这个电路里，管子已流过了Idss这个极限电流，也只在源极上得到2V多，表明你这管子Idss仅为约1.xmA不到2mA。Idss对应的Vgs是0V，于是，他需要的s极电压是2v多。但因为g极处固定偏置的分压电阻强制令g极为3V，因此，呈现出Vgs大于0V的现象。
ps：
1、原电路是采用固定偏置方式的电路，这种设计，能对s极的dc电压有较强的控制，但对管子的Idss离散性适应能力较差。
2、网友建议改用的自生偏置方式，这种电路对Idss离散性的适应能力强，但对s极的dc电压控制能力弱，也即是，Idss不同，s极的dc电压差异大。
小鬼头 发表于 2024-1-22 08:49
Idss这个参数，表征的是这只管子工作时的Id最大极限。就像一个电路里的输出电压，不能超出电源电压这个 ...
好复杂有点看不懂我消化消化，请问我上面说用二极管档测引脚的方法能证明中间那个引脚是栅极吗