小鬼头 发表于 2022-10-7 19:35
我没细看，不过，我觉得关于体二极管及相关问题（第三象限工作），小米气态键盘说得比较准确，他对mos管的 ...
实际测试一下比较妥当，在单位值班24小时，无聊了。拿出来一只2SK405还是万用表简单测试一下S-D之间是否有PN结特性，结果是2SK405的S-D之间是有PN结特性的。
手头的SIC管子型号不多，记得还有C3M0065090，等下班回家再测一下。
牛哥土炮 发表于 2022-10-8 08:15
实际测试一下比较妥当，在单位值班24小时，无聊了。拿出来一只2SK405还是万用表简单测试一下S-D之间 ...
要不你等几天我买个MOS管拿图示仪给你看看第三象限特性？这个特性在同步整流中被广泛应用，这也是为什么有个指标叫“体二极管反向恢复时间”
测量DS特性首先要保证Vgs是稳定的，栅极高阻抗悬空你觉得你的Vgs是多少？手上带点静电管子里不带稳压管摸一下就能被打穿的栅极悬空鬼知道是多少电压？比如GS短接，或者接电池之类的都可以，如果手上只有万用表可以用一节9V电池正反接在GS之间，分别测量Vgs=+9V与-9V的体二极管特性
小米气态键盘 发表于 2022-10-8 08:41
要不你等几天我买个MOS管拿图示仪给你看看第三象限特性？这个特性在同步整流中被广泛应用，这也是为什 ...
不用那么麻烦买图示仪了，我的图示仪坏了，不能用了，只好用万用表简单测试了。如果谁手头图示仪，而且恰好手头有C2M0080120这个管子，顺手测一下也可以。
我测试C2M0080120的三个图，您看的是G极悬空，但是实际上是3个状态，所以才有了3个不同的结果。万用表简单测试MOS管的方法，就是利用的G极输入阻抗高的特点，给G极加上电压后悬空也能保持一段时间，通过用红表笔触碰G极来加压的。。。。
本帖最后由 小米气态键盘 于 2022-10-8 09:03 编辑
牛哥土炮 发表于 2022-10-8 08:55
不用那么麻烦买图示仪了，我的图示仪坏了，不能用了，只好用万用表简单测试了。如果谁手头图示仪，而 ...
所以说你也已经拿到足以得出结论的依据了，结论就是体二极管的导通特性会受到Vgs影响，那么在你假设的电子滤波前的滤波电容突然爆炸电压归零的情况下Vgs是多少？归零瞬间Vgs不变，仍然维持对应Id时的Vgs，而进入反流状态后因栅极供电时间常数远大于源极输出电容的时间常数，Vgs会由于Vs迅速下降而Vg几乎不变而迅速上升直到被稳压二极管钳位，此时Vgs通常为12或15V，体二极管完全反向导通，压降仅为MOSFET的Rdson值，你说说你那1N4007有什么用？更何况你这假设唯一的可能是主滤波爆炸了之后让主滤波瞬间短路，主滤波电容都炸了这电子滤波还打算留着重复用？
另外图示仪我现在手上就有，只是不在家现在手上没有MOS管而已
本帖最后由 牛哥土炮 于 2022-10-8 09:08 编辑
小米气态键盘 发表于 2022-10-8 09:00
所以说你也已经拿到足以得出结论的依据了，结论就是体二极管的导通特性会受到Vgs影响，那么在你假设的 ...
对啊，我的测试结果是这样的：
1、当V-GS有适当高的正电压时候，源极电压比漏极电压高的时候，管子呈现出来极低的电阻状态。
2、当V-GS有较低的正向电压时候，源极电压比漏极电压高的时候，管子呈现出来较大的阻态。
3、当V-GS=0的时候，源极电压比漏极电压高的时候，管子呈现出来很高的阻态。
上述结果只针对于手头的C2M0080120管子，也许不没有通用性。
牛哥土炮 发表于 2022-10-8 08:15
实际测试一下比较妥当，在单位值班24小时，无聊了。拿出来一只2SK405还是万用表简单测试一下S-D之间 ...
你这个测试，别人早测过了。小米气态键盘网友说的，你只是不相信而已，因为你对mos管特性还是不够了解。
也因为不相信，小米气态键盘你不要自己测，要让牛哥土炮他自己测，测普通mos管就够。测试条件很低（只需要9v电池和万用表），方法也很简单：
1、短接nmos的g、s极，万用表测d、s极，看看是不是呈二极管特性。正常管子应该是。
这项他基本测过。
2、9v电池的正负极分别接nmos的g、s极（让nmos导通，令管子内的沟道呈Ron的电阻特性），万用表测d、s极之间两个方向的电阻。看看是不是都呈很低电阻的、而不是二极管的特性。
本帖最后由 小米气态键盘 于 2022-10-8 09:09 编辑
牛哥土炮 发表于 2022-10-8 09:03
对啊，我的测试结果是这样的：
另外我之前说错了，受Vgs影响的是沟道特性，体二极管特性不受Vgs影响，MOSFET的DS极唯一的区别就是衬底引向了S极，衬底与源极漏极之间均存在寄生体二极管，只是短接衬底和源极之后衬底与源极的体二极管无论如何都不可能导通而已。
万用表能提供的Vgs太低了，Id也太低了，充一下电再悬空几乎没有参考价值，你加个电容用直流电源充电也好
http://news.sohu.com/a/565470678_121124366
看来不用继续试验了，刚才百度一下，SIC的寄生二极管的开启电压比较高，看资料通常在3V以上，数字万用表的二极管档测不出来。
牛哥土炮 发表于 2022-10-8 09:43
http://news.sohu.com/a/565470678_121124366
看来不用继续试验了，刚才百度一下，SIC的寄生二极管的 ...
你可以做我60楼说的小测试，以此验证一下小米气态键盘说的第三象限工作情况。
小鬼头 发表于 2022-10-8 10:08
你可以做我60楼说的小测试，以此验证一下小米气态键盘说的第三象限工作情况。
实际上我再59楼已经给出了答案，虽然万用表能提供的电压较低，但是已经说明问题了，当时是在纠结“PN节”的压降大约0.6V左右，现在看来即使是采用您在60楼的做法，使用万用表的二极管档依然是测量不出来，因为这个档位的量程是2V，刚才查了一下资料，SIC的寄生二极管的正向压降基本都在3V左右。
这是SIC和普通MOS的差别，以前虽然没少用碳化硅MOS管，但是都是替代普通MOS管用于线性放大，这个区别还真没注意到。
牛哥土炮 发表于 2022-10-8 10:20
实际上我再59楼已经给出了答案，虽然万用表能提供的电压较低，但是已经说明问题了，当时是在纠结“PN ...
你让你测普通的mos管，不是sic，你的数字表完成这两项测试无压力。
测一下，就可以知道ds极反向供电时mos管工作情况，是小米气态键盘说的对，还是你说得对。
牛哥土炮 发表于 2022-10-8 09:43
http://news.sohu.com/a/565470678_121124366
看来不用继续试验了，刚才百度一下，SIC的寄生二极管的 ...
功率开关管的反向孪生二极管不是寄生二极管，两者在性质上和结构上都不同。
本帖最后由 小米气态键盘 于 2022-10-8 11:32 编辑
牛哥土炮 发表于 2022-10-8 10:20
实际上我再59楼已经给出了答案，虽然万用表能提供的电压较低，但是已经说明问题了，当时是在纠结“PN ...
即使是压降3V，MOS管也是能安全承受远大于1N4007的反向电流的，另外我说了在电子滤波电路中，你提到的输入电压瞬间归零的情况下，Vgs是被钳位到Vgs稳压管保护电压，这个电压足以让MOS管沟道完全导通。
电流可以走体二极管，SiC MOSFET的体二极管虽然压降高，但由于大功率MOS的大体积高瞬态热容与强散热能力设计，这个体二极管的电流承载能力很强；更何况在电子滤波电路下反流走的是沟道，根本不走体二极管，我从一开始说的就是体二极管与外加反接1N4007功能重复，不需要4007
本帖最后由 牛哥土炮 于 2022-10-8 12:02 编辑
小鬼头 发表于 2022-10-8 11:22
你让你测普通的mos管，不是sic，你的数字表完成这两项测试无压力。
测一下，就可以知道ds极反向供电时 ...
这个容易测啊，现在手头就有2SK405管子，实际测试结果：
1、当V-GS=0V的时候，二极管档显示0.196V
2、当V-GS=-0.82V的时候，二极管档显示0.352V
3、当V-GS=-8.3V的时候，二极管档显示0.543V
4、当V-GS=+0.82V的时候，二极管档显示0.129V
5、当V-GS=+8.3V的时候，二极管档显示接近0V
小米气态键盘 发表于 2022-10-4 15:55
体二极管性能弱这我还是第一次听说，通常功率MOSFET的体二极管都拥有和其最大漏源电流相近的正向峰值电 ...
“比如参考这个UF3C120040K4S，碳化硅Cascode FET，它在Vgs=0V时第三象限表现为二极管特性，而Vgs大于Vgsth时第三象限表现为电阻特性，可无压差的将输入与输出电容连接，输入电容瞬间短路时Vds为深负压，Vgs被拉至由栅极对源极的稳压管保护值，此时体二极管由于Vgs正偏压而完全导通，呈纯电阻特性，阻值可低至MOSFET的Rdson值，1N4007并接上去是真没用”
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普通mos管的第三象限工作特性也是如此，不光是sic管才这样：截至时呈二极管特性，导通时呈电阻（而且在Vgs足够高时是低电阻）特性。
所以我说要让他做普通mos管的小试验。
mos（含sic）、jfet其实在器件层面的沟道特性基本相近，都会在外加电场作用下，呈（双向的）电阻特性。这些器件可以用来做压控电阻（bjt则做不了），利用其低电阻特性，做出很多特性良好的电子开关——如果用bjt做电子开关，因为有比较固定的压降，特性会不佳。